胡正明（Chenming Hu），微电子学家。美国国籍。祖籍江苏省金坛市城西马干村[1] 。1947年7月出生于中国北京。1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。
美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学（新竹）微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学（北京）微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。 2007年当选中国科学院外籍院士。2015年12月获得美国国家技术和创新奖。
当地时间2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为胡正明颁发美国国家科学奖章。
胡正明为国立台湾大学电机工程学士、柏克莱加大电机及计算机硕士、博士，曾任美国麻省理工学院电机及计算机系教授，并有多项学术荣誉：为美国国家工程院院士、柏克莱加州大学校长讲座教授、TSMC杰出讲座教授、国立交通大学名誉教授、IEEE Fellow、北京清华大学名誉教授、中华民国国科会第一届杰出讲座、柏克莱加州大学杰出教学奖等。
胡正明柏克莱加大华裔教授 以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了目前世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。
曾任台积电技术长的胡正明，被称为“台湾第一技术长”。这位“美国国家工程院院士”以“科学家”之姿，以最直接的方式贡献台湾半导体界，期间，并创下新竹科学园区有史以来，第一位获数理组院士的半导体业人士。
2004年，胡正明重返伯克利加大，结束他在台积电的一千个日子，回到学术界，现仍为台积电顾问。任教职之外，胡正明的产业经验不仅在台积电，也曾创办Celestry Design Technologies, Inc、并曾任国家半导体公司非挥发性记忆体研发经理，除了学术、产业的杰出表现之外，还当过旧金山东湾中文学校董事长。他在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。
2001年至2004年还曾担任台积电首席技术官。他是鳍式场效晶体管 (FinFET) 的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制。
胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。
1985年应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展我国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议，对当时我国微电子科学技术的发展有较大影响。1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。1990年在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。
资讯来源：百度搜索
